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半導體元件物理/劉傳璽教授


主題名稱摘要
1一、半導體能帶的形成(一)
二、半導體能帶的形成(二)
三、半導體能帶的形成(三)
2半導體能帶觀念與載子濃度(一)大螢幕
半導體能帶觀念與載子濃度(二)大螢幕
半導體能帶觀念與載子濃度(三)大螢幕
半導體能帶觀念與載子濃度(四)大螢幕
半導體能帶觀念與載子濃度(五)大螢幕
3一、半導體能帶觀念與載子濃度(一)
二、半導體能帶觀念與載子濃度(二)
三、半導體能帶觀念與載子濃度(三)
四、半導體能帶觀念與載子濃度(四)
五、費米分佈函數
4一、載子的傳輸現象(一)
二、載子的傳輸現象(二)
三、載子的傳輸現象(三)
四、載子的傳輸現象(四)
五、載子的傳輸現象(五)
5一、本章結論(一)
二、本章結論(二)
三、連續方程式(一)
四、連續方程式(二)
6一、p-n接面的基本結構與特性(一)
二、p-n接面的基本結構與特性(二)
三、零偏壓(一)
四、零偏壓(二)
7一、零偏壓
二、習題演練
三、逆向偏壓(一)
四、逆向偏壓(二)
五、空乏層電容
六、單側陡接面
8一、理想二極體I-V特性(一)
二、理想二極體I-V特性(二)
三、理想二極體I-V特性(三)
四、理想二極體I-V特性(四)
五、實際二極體I-V特性與接面崩潰
六、習題演練
9一、MOS電容器的結構與特性(一)
二、MOS電容器的結構與特性(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(一)
四、理想的MOS(金氧半)元件(二)
10一、理想的MOS(金氧半)元件(一)
二、理想的MOS(金氧半)元件(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(三)
四、理想的MOS(金氧半)元件(四)
五、理想的MOS(金氧半)元件(五)
11一、理想MOS的臨界電壓(一)
二、理想MOS的臨界電壓(二)
三、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性
12一、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(一)
二、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(二)
三、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(三)