半導體元件物理/劉傳璽教授

 課程資訊
  一、半導體能帶的形成(一)
  二、半導體能帶的形成(二)
  三、半導體能帶的形成(三)

課程資訊
  一、半導體能帶觀念與載子濃度(一)
  二、半導體能帶觀念與載子濃度(二)
  三、半導體能帶觀念與載子濃度(三)
  四、半導體能帶觀念與載子濃度(四)
  五、半導體能帶觀念與載子濃度(五)

  課程資訊
  一、半導體能帶觀念與載子濃度(一)
  二、半導體能帶觀念與載子濃度(二)
  三、半導體能帶觀念與載子濃度(三)
  四、半導體能帶觀念與載子濃度(四)
  五、費米分佈函數

 課程資訊
  一、載子的傳輸現象(一)
  二、載子的傳輸現象(二)
  三、載子的傳輸現象(三)
  四、載子的傳輸現象(四)
  五、載子的傳輸現象(五)

 課程資訊
  一、本章結論(一)
  二、本章結論(二)
  三、連續方程式(一)
  四、連續方程式(二)

  課程資訊
  一、p-n接面的基本結構與特性(一)
  二、p-n接面的基本結構與特性(二)
  三、零偏壓(一)
  四、零偏壓(二)

一、理想二極體I-V特性(一)
二、理想二極體I-V特性(二)
三、理想二極體I-V特性(三)
四、理想二極體I-V特性(四)
五、實際二極體I-V特性與接面崩潰
六、習題演練

一、MOS電容器的結構與特性(一)
二、MOS電容器的結構與特性(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(一)
四、理想的MOS(金氧半)元件(二)

一、理想的MOS(金氧半)元件(一)
二、理想的MOS(金氧半)元件(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(三)
四、理想的MOS(金氧半)元件(四)
五、理想的MOS(金氧半)元件(五)

一、理想MOS的臨界電壓(一)
二、理想MOS的臨界電壓(二)
三、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性