半導體元件物理/劉傳璽教授


主題名稱摘要結果
1半導體元件物理先備知識:半導體能帶的形成 (課程影音)

 課程資訊
  一、半導體能帶的形成(一)
  二、半導體能帶的形成(二)
  三、半導體能帶的形成(三)

 
2半導體元件物理的基礎(一) (課程影音)

課程資訊
  一、半導體能帶觀念與載子濃度(一)
  二、半導體能帶觀念與載子濃度(二)
  三、半導體能帶觀念與載子濃度(三)
  四、半導體能帶觀念與載子濃度(四)
  五、半導體能帶觀念與載子濃度(五)

 
3半導體元件物理的基礎(二) (課程影音)

  課程資訊
  一、半導體能帶觀念與載子濃度(一)
  二、半導體能帶觀念與載子濃度(二)
  三、半導體能帶觀念與載子濃度(三)
  四、半導體能帶觀念與載子濃度(四)
  五、費米分佈函數

 
4半導體元件物理的基礎(三) (課程影音)

 課程資訊
  一、載子的傳輸現象(一)
  二、載子的傳輸現象(二)
  三、載子的傳輸現象(三)
  四、載子的傳輸現象(四)
  五、載子的傳輸現象(五)

 
5半導體元件物理的基礎(四) (課程影音)

 課程資訊
  一、本章結論(一)
  二、本章結論(二)
  三、連續方程式(一)
  四、連續方程式(二)

 
6P-N接面(一) (課程影音)

  課程資訊
  一、p-n接面的基本結構與特性(一)
  二、p-n接面的基本結構與特性(二)
  三、零偏壓(一)
  四、零偏壓(二)

 
7P-N接面(二) (課程影音)

 

 
8P-N接面(三) (課程影音)

一、理想二極體I-V特性(一)
二、理想二極體I-V特性(二)
三、理想二極體I-V特性(三)
四、理想二極體I-V特性(四)
五、實際二極體I-V特性與接面崩潰
六、習題演練

 
9金氧半場效電晶體(MOSFET) (一) (課程影音)

一、MOS電容器的結構與特性(一)
二、MOS電容器的結構與特性(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(一)
四、理想的MOS(金氧半)元件(二)

 
10金氧半場效電晶體(MOSFET) (二) (課程影音)

一、理想的MOS(金氧半)元件(一)
二、理想的MOS(金氧半)元件(二)
三、理想的MOS(金氧半)元件(三)
四、理想的MOS(金氧半)元件(四)
五、理想的MOS(金氧半)元件(五)

 
11金氧半場效電晶體(MOSFET) (三) (課程影音)

一、理想MOS的臨界電壓(一)
二、理想MOS的臨界電壓(二)
三、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性

 
12金氧半場效電晶體(MOSFET) (四) (課程影音)

一、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(一)
二、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(二)
三、理想MOS的C-V(電容-電壓)特性(三)